BCR 555 E6327 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BCR 555 E6327
|
|
حجم فایل
|
63.034
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
6
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
-
Datasheet:
Infineon Technologies BCR 555 E6327
-
Transistor Type:
One PNP - Pre-Biased
-
Collector Current (Ic):
500mA
-
Power Dissipation (Pd):
330mW
-
Transition Frequency (fT):
150MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
70@50mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
300mV@50mA,2.5mA
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
